主辦單位：
芯原控股有限公司
電子科技大學
西安電子科技大學
協(xié)辦單位：
四川大學 西南交通大學
西安交通大學 西北工業(yè)大學
承辦單位：
電子科技大學 電子科學與工程學院
西安電子科技大學 微電子學院
【參賽要求】
具有模擬電路設計基礎，并有正式學籍的全日制在校研究生及準研究生均有資格報名參賽。每人限參加1支參賽隊伍，每支參賽隊由3名學生組成。
【比賽賽制】
“芯原杯”電路設計大賽由芯原控股有限公司發(fā)起，電子科技大學與西安電子科技大學共同主辦。本賽事采用初賽-決賽制，初賽為筆試環(huán)節(jié)(閉卷)，決賽由上機和答辯評審組成。
初賽分西安賽區(qū)和成都賽區(qū)：成都賽區(qū)包含電子科技大學、四川大學、西南交通大學等高校；西安賽區(qū)包含西安電子科技大學、西安交通大學、西北工業(yè)大學等高校。電子科技大學與西安電子科技大學分別負責所在地區(qū)的初賽組織工作，并從兩賽區(qū)各評選出十支隊伍進入決賽。
第四屆“芯原杯”決賽由電子科技大學電子科學與工程學院承辦。決賽采用全封閉式競賽模式，2天內(nèi)（每天08:30-20:30）完成參賽作品，其中1天電路，1天版圖，并提交相應設計報告。決賽次日進行評審答辯。決賽題目在比賽當天公布,以模擬電路設計為主題。
【競賽主題】
FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)是一種介于傳統(tǒng)的平面體硅工藝和三維FinFET工藝之間的器件結構。
它兼有平面工藝的簡單低成本，SOI工藝的的低漏電、抗輻射，和接近FinFET的高性能、低功耗等特點，而且額外支持靈活的襯底偏壓技術。
它進一步延伸了20nm以下摩爾定律的發(fā)展，非常適合物聯(lián)網(wǎng)、移動設備等高性能低成本應用以及對可靠性要求更高的汽車電子等需求。
【評分標準】
以參賽作品評審為主體，完成命題設計占80%，自主創(chuàng)新占20%，完成規(guī)定外設計可得額外分數(shù)。
競賽評委由芯原專家組和高校教授專家組共同組成。
【比賽流程】
初賽的技術講座和培訓由芯原股份有限公司統(tǒng)一安排，電子科技大學電子學院與西安電子科技大學微電子學院配合組織所在賽區(qū)培訓工作。為避免試題泄露，初賽筆試在兩高校同時進行。
參賽者報名參賽的時間為：
4月16日- 5月15日
初賽階段（分為三部分進行）：
a.技術講座：5月22日
b.賽前課程（理論+上機）：5月28-31日
c.初賽（筆試）：6月2日
決賽階段（分為三部分進行）：
a.決賽(上機): 6月9-10日
b.決賽答辯: 6月11日
c.頒獎典禮: 6月12日上午電子科技大學，6月12日下午芯原（成都）參觀
【獎項設置】
一等獎（1名）
獲獎證書、9000元獎金、芯原實習機會、芯原（上海）公司參觀。
二等獎（3名）
獲獎證書、6000元獎金、芯原（上海）公司參觀。
三等獎（5名）
獲獎證書、3000元獎金。
入圍獎：所有進入決賽的選手均受邀參觀芯原（成都）公司。
參賽獎：每名選手均有參賽獎
【報名方式】
1、掃描下方二維碼，關注“電子e研堂” 微信公眾號，單擊界面下方報名入口，進入第四屆“芯原杯”，即可報名；
2、加入芯原杯交流QQ群：638775488。
